Антава

ONSEMI

Транзистор NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMD4N03R2G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current4 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.