ONSEMI
Транзистор NVLJS053N12MCLTAG
uDFN6Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 120 V
- Drain current
- 4.8 A
- Pulsed drain current
- 86 A
- Power dissipation
- 2.3 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | NVLJS053N12MCLTAG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 120 V |
| Drain current | 4.8 A |
| Pulsed drain current | 86 A |
| Power dissipation | 2.3 W |
| Корпус | uDFN6 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 53 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 7.8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.8A; Idm: 86A; 2.3W; uDFN6
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.