Антава

ONSEMI

Транзистор NVJS4405NT1G

NVJS4405NT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25V
Drain current
1.2A
Pulsed drain current
3.7A
Power dissipation
0.63W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVJS4405NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25V
Drain current1.2A
Pulsed drain current3.7A
Power dissipation0.63W
КорпусSC88
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.35Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.75nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 1.2A; Idm: 3.7A; 630mW; SC88

Документация

Документы пока не предоставлены.