Антава

ONSEMI

Транзистор NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.212 A
Power dissipation
0.25 W
Корпус
SC70-6, SC88, SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 026 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%72,18 ₽

Сумма · с НДС 22%72,18 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 172,18 ₽
от 548,25 ₽
от 1041,22 ₽
от 5030,58 ₽
от 10027,73 ₽
от 50022,98 ₽
от 100021,08 ₽
от 300018,99 ₽
от 600017,86 ₽
от 1500017,10 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNVJD5121NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.212 A
Power dissipation0.25 W
КорпусSC70-6, SC88, SOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W

Документация

Документы пока не предоставлены.