Антава

ONSEMI

Транзистор NVJD4152PT1G

NVJD4152PT1G
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-880 mA
Power dissipation
141 mW
Корпус
SC88
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVJD4152PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-880 mA
Power dissipation141 mW
КорпусSC88
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -880mA; 141mW; SC88; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.