ONSEMI

Транзистор NVHL080N120SC1A

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2 kV
Drain current: 22 A
Pulsed drain current: 132 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVHL080N120SC1A
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	1.2 kV
Drain current	22 A
Pulsed drain current	132 A
Power dissipation	89 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-5...20 V
On-state resistance	114 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	56nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 89W

Документация

Документы пока не предоставлены.