Антава

ONSEMI

Транзистор NVHL020N090SC1

NVHL020N090SC1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
83 A
Pulsed drain current
472 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVHL020N090SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current83 A
Pulsed drain current472 A
Power dissipation251 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-10...19 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W

Документация

Документ производителя