ONSEMI

Транзистор NVHL015N065SC1

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 115 A
Pulsed drain current: 484 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVHL015N065SC1
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	115 A
Pulsed drain current	484 A
Power dissipation	321 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-5...18 V
On-state resistance	16 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	283nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 115A; Idm: 484A; 321W

Документация

Документы пока не предоставлены.