Антава

ONSEMI

Транзистор NVH4L030N120M3S

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
52 A
Pulsed drain current
193 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVH4L030N120M3S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current52 A
Pulsed drain current193 A
Power dissipation156 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-3...18 V
On-state resistance58 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge107nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 193A; 156W

Документация

Документы пока не предоставлены.