Антава

ONSEMI

Транзистор NVH4L020N120SC1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
71.4 A
Pulsed drain current
408 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVH4L020N120SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current71.4 A
Pulsed drain current408 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.22µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71.4A; Idm: 408A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.