Антава

ONSEMI

Транзистор NVH4L015N065SC1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
100 A
Pulsed drain current
483 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVH4L015N065SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current100 A
Pulsed drain current483 A
Power dissipation250 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...18 V
On-state resistance16 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge283C
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.