Антава

ONSEMI

Транзистор NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-2.9 A
Pulsed drain current
-20 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 820 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%264,15 ₽

Сумма · с НДС 22%264,15 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1264,15 ₽
от 5200,83 ₽
от 10172,97 ₽
от 50123,03 ₽
от 100108,38 ₽
от 50086,48 ₽
от 100083,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNVGS5120PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-2.9 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусTSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance111 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -20A; 1.1W; TSOP6

Документация

Документы пока не предоставлены.