Антава

ONSEMI

Транзистор NVF2955T1G

NVF2955T1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-2.6 A
Power dissipation
2.3 W
Корпус
SOT223
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVF2955T1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-2.6 A
Power dissipation2.3 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance154 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223

Документация

Документ производителя