Антава

ONSEMI

Транзистор NVE4153NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
0.915A
Pulsed drain current
1.3A
Power dissipation
0.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVE4153NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current0.915A
Pulsed drain current1.3A
Power dissipation0.3W
КорпусSC89
Gate-source voltage±6V
On-state resistance0.23Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.82nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 915mA; Idm: 1.3A; 300mW; SC89

Документация

Документы пока не предоставлены.