Антава

ONSEMI

Транзистор NVD5C684NLT4G

NVD5C684NLT4G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
38 A
Pulsed drain current
130 A
Рассеиваемая мощность
13 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVD5C684NLT4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current38 A
Pulsed drain current130 A
Рассеиваемая мощность13 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; Idm: 130A; 13W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.