Антава

ONSEMI

Транзистор NVD5C668NLT4G

NVD5C668NLT4G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
49 A
Pulsed drain current
250 A
Power dissipation
22 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVD5C668NLT4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current49 A
Pulsed drain current250 A
Power dissipation22 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; Idm: 250A; 22W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.