Антава

ONSEMI

Транзистор NVD5C478NLT4G

NVD5C478NLT4G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
45 A
Pulsed drain current
220 A
Power dissipation
15 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVD5C478NLT4G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current45 A
Pulsed drain current220 A
Power dissipation15 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 220A; 15W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.