ONSEMI

Транзистор NVBLS4D0N15MC

H-PSOF8LИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150 V
Drain current: 187 A
Pulsed drain current: 900 A
Power dissipation: 158 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVBLS4D0N15MC
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	150 V
Drain current	187 A
Pulsed drain current	900 A
Power dissipation	158 W
Корпус	H-PSOF8L
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.4 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	90.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W

Документация

Документы пока не предоставлены.