Антава

ONSEMI

Транзистор NVBG1000N170M1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
3 A
Pulsed drain current
14.6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVBG1000N170M1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current3 A
Pulsed drain current14.6 A
Рассеиваемая мощность25 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance1.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 14.6A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.