Антава

ONSEMI

Транзистор NVBG075N065SC1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Drain-source voltage
650 V
Drain current
37 A
Power dissipation
139 W
Корпус
D2PAK-7
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 800 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 774,12 ₽

Сумма · с НДС 22%1 419 296,00 ₽

От 800 шт. · шаг 800

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 8001 774,12 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNVBG075N065SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Drain-source voltage650 V
Drain current37 A
Power dissipation139 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-8...22 V
On-state resistance85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge59nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 37A; 139W; D2PAK-7

Документация

Документы пока не предоставлены.