Антава

ONSEMI

Транзистор NVBG040N120M3S

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
40 A
Pulsed drain current
149 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVBG040N120M3S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current40 A
Pulsed drain current149 A
Power dissipation131 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-3...18 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge75nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W

Документация

Документы пока не предоставлены.