Антава

ONSEMI

Транзистор NVBG030N120M3S

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
54 A
Pulsed drain current
207 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVBG030N120M3S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current54 A
Pulsed drain current207 A
Power dissipation174 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-3...18 V
On-state resistance58 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge107nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W

Документация

Документы пока не предоставлены.