Антава

ONSEMI

Транзистор NVBG022N120M3S

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
71 A
Pulsed drain current
297 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVBG022N120M3S
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current71 A
Pulsed drain current297 A
Power dissipation220 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-3...18 V
On-state resistance44 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge142nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W

Документация

Документы пока не предоставлены.