Антава

ONSEMI

Транзистор NVBG015N065SC1

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
103 A
Pulsed drain current
442 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVBG015N065SC1
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current103 A
Pulsed drain current442 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусD2PAK-7
Gate-source voltage-5...18 V
On-state resistance16 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge283nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W

Документация

Документы пока не предоставлены.