Антава

ONSEMI

Транзистор NVB190N65S3F

NVB190N65S3F
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
162 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVB190N65S3F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current20 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation162 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge34nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.