Антава

ONSEMI

Транзистор NVB110N65S3F

NVB110N65S3F
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
30A
Pulsed drain current
69A
Power dissipation
240W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVB110N65S3F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current30A
Pulsed drain current69A
Power dissipation240W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.11Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge58nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.