Антава

ONSEMI

Транзистор NVB095N65S3F

NVB095N65S3F
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
36 A
Pulsed drain current
90 A
Power dissipation
272 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVB095N65S3F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current36 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation272 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge66nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.