Антава

ONSEMI

Транзистор NVB082N65S3F

NVB082N65S3F
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
100 A
Power dissipation
313 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVB082N65S3F
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current40 A
Pulsed drain current100 A
Power dissipation313 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance82 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge81nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.