Антава

ONSEMI

Транзистор NVA4001NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
0.238A
Pulsed drain current
0.714A
Power dissipation
0.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVA4001NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current0.238A
Pulsed drain current0.714A
Power dissipation0.3W
КорпусSC75
Gate-source voltage±10V
On-state resistance3Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 238mA; Idm: 0.714A; 300mW; SC75

Документация

Документы пока не предоставлены.