Антава

ONSEMI

Диод NUP4102XV6T1G

NUP4102XV6T1G
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
13.6...17.8 V
Semiconductor structure
bidirectional
Монтаж
SMD — поверхностный
Корпус
SOT563
Max. off-state voltage
12 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNUP4102XV6T1G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage13.6...17.8 V
Semiconductor structurebidirectional
МонтажSMD — поверхностный
КорпусSOT563
Max. off-state voltage12 V
Количество каналов4
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 13.6÷17.8V; bidirectional; SOT563; Ch: 4

Документация

Документы пока не предоставлены.