ONSEMI
Транзистор NTZD3154NT1G
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 0.54 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.25 W
- Корпус
- SOT563
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 15 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%73,26 ₽
Сумма · с НДС 22%73,26 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 73,26 ₽ | |
| от 10 | 41,51 ₽ | |
| от 50 | 30,62 ₽ | |
| от 100 | 27,05 ₽ | |
| от 250 | 23,11 ₽ | |
| от 500 | 20,85 ₽ | |
| от 2000 | 17,09 ₽ | |
| от 4000 | 16,15 ₽ | |
| от 8000 | 15,59 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NTZD3154NT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 0.54 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.25 W |
| Корпус | SOT563 |
| Gate-source voltage | ±7 V |
| On-state resistance | 0.9 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.5nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.