ONSEMI
Транзистор NTZD3152PT1G
- Type of transistor
- P-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -430 mA
- Power dissipation
- 0.25 W
- Корпус
- SOT563
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 829 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%75,98 ₽
Сумма · с НДС 22%75,98 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 75,98 ₽ | |
| от 10 | 46,35 ₽ | |
| от 50 | 33,05 ₽ | |
| от 100 | 28,68 ₽ | |
| от 250 | 23,93 ₽ | |
| от 500 | 21,65 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | NTZD3152PT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -430 mA |
| Power dissipation | 0.25 W |
| Корпус | SOT563 |
| Gate-source voltage | ±6 V |
| On-state resistance | 2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.7nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.