Антава

ONSEMI

Транзистор NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G
Type of transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-430 mA
Power dissipation
0.25 W
Корпус
SOT563

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 829 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%75,98 ₽

Сумма · с НДС 22%75,98 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 175,98 ₽
от 1046,35 ₽
от 5033,05 ₽
от 10028,68 ₽
от 25023,93 ₽
от 50021,65 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTZD3152PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-430 mA
Power dissipation0.25 W
КорпусSOT563
Gate-source voltage±6 V
On-state resistance2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563

Документация

Документ производителя