Антава

ONSEMI

Транзистор NTTFSS1D1N02P1E

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
264 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
89 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTTFSS1D1N02P1E
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current264 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation89 W
КорпусWDFN9
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance0.85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 264A; Idm: 900A; 89W; WDFN9

Документация

Документы пока не предоставлены.