Антава

ONSEMI

Транзистор NTTFS6H850NTAG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
68A
Pulsed drain current
300A
Power dissipation
53W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTTFS6H850NTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current68A
Pulsed drain current300A
Power dissipation53W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 68A; Idm: 300A; 53W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.