ONSEMI

Транзистор NTTFS6H850NLTAG

WDFN8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 64 A
Pulsed drain current: 308 A
Рассеиваемая мощность: 37 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTTFS6H850NLTAG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	64 A
Pulsed drain current	308 A
Рассеиваемая мощность	37 W
Корпус	WDFN8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	8.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	26nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 64A; Idm: 308A; 37W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.