Антава

ONSEMI

Транзистор NTTFS4C10NTAG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
44 A
Pulsed drain current
128 A
Power dissipation
23.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTTFS4C10NTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current44 A
Pulsed drain current128 A
Power dissipation23.6 W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 44A; Idm: 128A; 23.6W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.