Антава

ONSEMI

Транзистор NTTFS4C02NTAG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
164 A
Pulsed drain current
663 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTTFS4C02NTAG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current164 A
Pulsed drain current663 A
Power dissipation2.5 W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 164A; Idm: 663A; 2.5W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.