ONSEMI
Транзистор NTTFS2D1N04HLTWG
PQFN8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 150 A
- Pulsed drain current
- 958 A
- Power dissipation
- 83 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | NTTFS2D1N04HLTWG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 150 A |
| Pulsed drain current | 958 A |
| Power dissipation | 83 W |
| Корпус | PQFN8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2.1 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 43.6nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 958A; 83W; PQFN8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.