Антава

ONSEMI

Транзистор NTTFS1D8N02P1E

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25 V
Drain current
150 A
Pulsed drain current
508 A
Power dissipation
46 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTTFS1D8N02P1E
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25 V
Drain current150 A
Pulsed drain current508 A
Power dissipation46 W
КорпусWDFN8
On-state resistance1.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 150A; Idm: 508A; 46W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.