Антава

ONSEMI

Транзистор NTTFS1D2N02P1E

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25V
Drain current
180A
Pulsed drain current
195A
Power dissipation
52W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTTFS1D2N02P1E
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25V
Drain current180A
Pulsed drain current195A
Power dissipation52W
КорпусPQFN8
On-state resistance1mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; Idm: 195A; 52W; PQFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.