ONSEMI

Транзистор NTTFS115P10M5

WDFN8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -13 A
Pulsed drain current: -137 A
Рассеиваемая мощность: 16 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTTFS115P10M5
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-13 A
Pulsed drain current	-137 A
Рассеиваемая мощность	16 W
Корпус	WDFN8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.12 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	9.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -137A; 16W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.