ONSEMI
Транзистор NTTFS012N10MDTAG
WDFN8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 45 A
- Pulsed drain current
- 217 A
- Power dissipation
- 62 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | NTTFS012N10MDTAG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 45 A |
| Pulsed drain current | 217 A |
| Power dissipation | 62 W |
| Корпус | WDFN8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 14.4 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 13nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 217A; 62W; WDFN8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.