ONSEMI
Транзистор NTTFS010N10MCLTAG
WDFN8Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 50 A
- Pulsed drain current
- 250 A
- Рассеиваемая мощность
- 52 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | NTTFS010N10MCLTAG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 50 A |
| Pulsed drain current | 250 A |
| Рассеиваемая мощность | 52 W |
| Корпус | WDFN8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 10.6 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 250A; 52W; WDFN8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.