Антава

ONSEMI

Транзистор NTTFS008P03P8Z

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-96 A
Pulsed drain current
-418 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTTFS008P03P8Z
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-96 A
Pulsed drain current-418 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусWDFN8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance3.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge134nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -96A; Idm: -418A; 50W; WDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.