Антава

ONSEMI

Транзистор NTTFD4D0N04HLTWG

Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
349 A
Power dissipation
26 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNTTFD4D0N04HLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current60 A
Pulsed drain current349 A
Power dissipation26 W
КорпусWQFN12
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 349A; 26W; WQFN12

Документация

Документы пока не предоставлены.