ONSEMI

Транзистор NTTFD022N10C

WQFN12Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 24 A
Pulsed drain current: 349 A
Рассеиваемая мощность: 26 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NTTFD022N10C
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	24 A
Pulsed drain current	349 A
Рассеиваемая мощность	26 W
Корпус	WQFN12
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	25 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	9nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W; WQFN12

Документация

Документы пока не предоставлены.