Антава

ONSEMI

Транзистор NTS4173PT1G

NTS4173PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-0.8 A
Pulsed drain current
-5 A
Рассеиваемая мощность
0.29 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 281 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%52,00 ₽

Сумма · с НДС 22%52,00 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 152,00 ₽
от 1036,04 ₽
от 2530,48 ₽
от 5026,90 ₽
от 10024,57 ₽
от 25022,06 ₽
от 50020,26 ₽
от 100017,75 ₽
от 300015,24 ₽
от 600013,81 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTS4173PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-0.8 A
Pulsed drain current-5 A
Рассеиваемая мощность0.29 W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW

Документация

Документ производителя