Антава

ONSEMI

Транзистор NTS4101PT1G

NTS4101PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-0.62 A
Power dissipation
0.329 W
Корпус
SC70, SOT323
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 448 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%79,78 ₽

Сумма · с НДС 22%79,78 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 179,78 ₽
от 560,40 ₽
от 1050,72 ₽
от 5033,24 ₽
от 10028,11 ₽
от 50019,75 ₽
от 100017,29 ₽
от 150016,15 ₽
от 300015,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNTS4101PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-0.62 A
Power dissipation0.329 W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323

Документация

Документ производителя