Антава

ONSEMI

Транзистор NTS2101PT1G

NTS2101PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-8V
Drain current
-1.1A
Power dissipation
0.29W
Корпус
SC70, SOT323
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTS2101PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-8V
Drain current-1.1A
Power dissipation0.29W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.