Антава

ONSEMI

Транзистор NTRV4101PT1G

NTRV4101PT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.7 A
Power dissipation
0.73 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNTRV4101PT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.7 A
Power dissipation0.73 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance85 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.73W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.